0 товаров на сумму 0 рублей

Отраслевая литература

Все
А
Б
В
Г
Д
Е
Ж
З
И
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Ш
Щ
Ы
Э
Ю
Я
739руб.
Количество:

Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения

Берлин Е.В., Григорьев В.Ю., Сейдман Л.А.

Издательство: Техносфера
Год: 2019
ISBN: 978-5-94836-519-0
Ограничение по возрасту: не указано

Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности. Сегодня размеры используемых полупроводниковых подложек возросли до 450 мм, а размеры элементов, формируемых на пластине в серийном производстве, уменьшились до 0,02-0,04 мкм. В результате степень интеграции выросла до одного миллиарда и более полупроводниковых приборов на одной пластине.
Использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества для технологии изделий с микро и нано элементами. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (1011-1012 см-3), минимальный разброс ионов по энергиям (?ei ? 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10–2?10–1 Па) и низкую энергетическую цену иона (30?80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов, источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ICP для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например, в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD.
За последнее десятилетие эти источники нашли широкое промышленное применение, по которому появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP.
В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP. Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И, кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников.
Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP. В ней обобщено современное развитие этих технологических процессов и используемого для них оборудования. Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.

Для использования функций сайта необходимо зарегистрироваться или авторизоваться
Подпишитесь на наши рассылки!
E-mail*:
ФИО:
Подпишитесь на наши рассылки!

Письмо с подтверждением отправлено на Ваш email.

логин
пароль
КАТЕГОРИЯ
НАЗВАНИЕ
АВТОР
ISBN
ИЗДАТЕЛЬСТВО
Цена от
до
Год от
до
© 2007-2021, Издательский дом «Рост». Все права защищены.
12+